체리피커의 실생활리뷰

1. 식각 공정(Etching) - 이용: STI Etch, Polysilicon Etch, Contact Etch, Via Etch... 1) 주요 영향인자 - Etchant chemical: Selectivity(선택비), 반응물의 boiling point - Plasma power, Ion Energy, Plasma density - Wafer temp 2) 용어 - Etch Rate= x/t 영향: RF power, gas flow rate, pressure, 온도, pattern density 등 각 변수 의존성 단적 표현 어려움-> 실험적 검증 필요 - Etch Selectivity= A Etch rate / B Etch rate - Etch Bias= FICD – DICD (Change of..

Semiconductor 2022. 4. 8. 14:08

4. 실리사이드(Silicide) : 단결정 Si과 metal의 compound Poly-Si위에 형성시킨 silicide를 polycide라고 부르기도 함 소자의 소스/드레인 영역, 게이트 배선의 저항을 낮추기 위한 공정 - Shallow Junction이 Source Drain 저항을 증가, Contact Area 감소가 Contact 저항을 증가 , 좁은 Gate Width가 Poly Si Electrode 저항을 증가시키기 때문에 낮은 저항의 Silicide가 중요 - Semi-Metal 간shottky contact 해결 고온 잘 견뎌 국소 배선에 적용 낮은 비저항, 열 안정성이 필요 1) 살리사이드(Salicide,Self Aligned Silicide) : Metal이 Si과만 반응하는 것을..

Semiconductor 2022. 4. 8. 14:07

1. 산화공정(Oxidation) 1) SiO2 - Amorphous - 연속적인 random network tetrahedral 구조 - 높은 녹는점 - 절연 상수 3.8-3.9 - 에너지 밴드갭 8 - 굴절률 1.46 - Si와의 우수한 식각 선택비 - 밀도 ox< 밀도 si - 이온주입/확산 마스크, 식각 마스크, Isolation에 이용 2. Thermal Oxidation : 고온에서 O2 또는 H2O에 노출하여 oxide를 형성하는 공정 Si 46% 소비 1) 이용 - 얇은 표면 보호막: liner 산화막- 트렌치 측벽 및 바닥 결함 제거, CVD산화막의 불순물이 기판 전이 방지 패드 산화막- 층간 스트레스 완화 희생 산화막- 이온주입에 의한 실리콘 표면 손상 및 채널링 문제 방지 - 게이트 ..

Semiconductor 2022. 4. 8. 13:55

1. 반도체 8대 공정 1) 웨이퍼 제조 : 디스플레이 및 반도체 회로를 만드는 기판인 웨이퍼를 제조하는 공정 2) 산화공정(Oxidation) : 실리콘 웨이퍼 표면을 보호하는 산화막을 씌우는 공정 3) 포토공정(Photolithography) : 웨이퍼에 반도체 회로 패턴을 전사해 형성하는 공정 4) 식각공정(Etching) : 회로패턴 외의 부분을 깎아내는 공정 5) 박막,확산& 이온주입공정(Thin film(Deposition),Diffusion&Implantation) : 전기적 특성을 위한 금속& 회로간 분리와 보호를 위한 절연체 박막을 형성하는 공정 , 부도체인 실리콘 웨이퍼가 전기적 특성을 갖도록 이온 불순물을 주입하는 공정 6) 금속배선공정(Metallization) : 전기적 신호를 전..

Semiconductor 2022. 4. 8. 13:53